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如反激一次側(cè)的高壓MOS的D、S之間距離，廣東充電器定制，依據(jù)公式500V對(duì)應(yīng)0.85mm，DS電壓在700V以下是0.9mm，考慮到污染和潮濕，定制式充電器定制，一般取1.2mm 54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠，需要考慮T腳增加安全距離。 之前碰到過(guò)炸機(jī)現(xiàn)象，120W充電器定制，增加安全距離后解決了，因?yàn)榇胖槿菀渍瓷蠚埩粑?55.發(fā)一個(gè)驗(yàn)證VCC的土方法，把產(chǎn)品放低溫環(huán)境（冰箱）幾分鐘，測(cè)試VCC波形電壓有沒(méi)有觸發(fā)到芯片欠壓保護(hù)點(diǎn)。 小公司設(shè)備沒(méi)那么全，有興趣的可以做個(gè)對(duì)比，看看VCC差異有多大關(guān)于VCC圈數(shù)的設(shè)計(jì)需要考慮很多因素 56.在變壓器底部PCB加通風(fēng)孔，有利于散熱，小板也一樣，1000W充電器定制，要考慮風(fēng)路。


理由：開(kāi)關(guān)管工作時(shí)容易干擾到背部的芯片，造成系統(tǒng)不穩(wěn)定，其它高頻器件同理 60.輸出的DC線在PCB設(shè)計(jì)時(shí)，要設(shè)計(jì)成長(zhǎng)短一至，焊盤孔間隔要小。 理由：SR的尾部留長(zhǎng)是一樣長(zhǎng)的，當(dāng)兩個(gè)焊盤孔間隔太遠(yuǎn)時(shí)，會(huì)造成不方便生產(chǎn)焊接 61.MOS管、變壓器遠(yuǎn)離AC端，改善EMI傳導(dǎo)。 理由：高頻信號(hào)會(huì)通過(guò)AC端耦合出去，從而噪聲源被EMI設(shè)備檢測(cè)到引起EMI問(wèn)題 62.驅(qū)動(dòng)電阻應(yīng)靠近MOS管。 理由：增加抗干擾能力，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性


六、 設(shè)計(jì)輸出輸出光繪文件的注意事項(xiàng)：a. 需要輸出的層有布線層（底層） 、絲印層（包括頂層絲印、底層絲?。?、阻焊層（底層阻焊）、鉆孔層（底層），另外還要生成鉆孔文件（NC Drill）b. 設(shè)置絲印層的Layer時(shí)，不要選擇Part Type，選擇頂層（底層）和絲印層的Outline、Text、Line。c. 在設(shè)置每層的Layer時(shí)，將Board Outline選上，設(shè)置絲印層的Layer時(shí)，不要選擇Part Type，選擇頂層（底層）和絲印層的Outline、Text、Line。d. 生成鉆孔文件時(shí)，使用PowerPCB的缺省設(shè)置，不要作任何改變。


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