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如反激一次側的高壓MOS的D、S之間距離，依據(jù)公式500V對應0.85mm，DS電壓在700V以下是0.9mm，考慮到污染和潮濕，一般取1.2mm 54.如果TO220封裝的MOS的D腳串了磁珠，需要考慮T腳增加安全距離。 之前碰到過炸機現(xiàn)象，增加安全距離后解決了，裸板電源廠家，因為磁珠容易沾上殘留物 55.發(fā)一個驗證VCC的土方法，把產(chǎn)品放低溫環(huán)境（冰箱）幾分鐘，測試VCC波形電壓有沒有觸發(fā)到芯片欠壓保護點。 小公司設備沒那么全，有興趣的可以做個對比，看看VCC差異有多大關于VCC圈數(shù)的設計需要考慮很多因素 56.在變壓器底部PCB加通風孔，有利于散熱，小板也一樣，茂名電源廠家，要考慮風路。


像飛利浦這樣的客戶都要求ESD非常嚴的，聽說的還需要達到±20KV，哪天有這種客戶要求，你又得忙一段時間了。 13.電路設計，設計變壓器時，VCC電壓在輕載電壓要大于IC的欠壓關斷電壓值。 判斷空載VCC電壓需大于芯片關斷電壓的5V左右，同時確認滿載時不能大于芯片過壓保護值 14.電路設計，設計共用變壓器需考慮到使用輸出電壓時的VCC電壓，低溫時VCC有稍微NOSIE會碰觸OVP動作。 如果你的產(chǎn)品9V-15V是共用一個變壓器，請確認VCC電壓，和功率管耐壓 15.電路調(diào)試，Rcs與Ccs值不能過大，否則會造成VDS超過耐壓炸機。


35.傳導整改，分段處理經(jīng)驗，如下圖，這只是處理的一種方法，有些情況并不是能直接套用 36.輻射整改，分段處理經(jīng)驗，如下圖，適合一些新手工程師，提供一個參考的方向，POE電源廠家，有些情況并不是能直接套用，的還是要搞清楚EMI產(chǎn)生的機理。 37.關于PCB碰到的問題，如圖，為什么99SE畫板覆銅填充的時候填不滿這個位置？像是有死銅一樣D1這個元件有個文字描述的屬性放在了頂層銅箔，如圖 把它放到頂層絲印后，解決。38.變壓器銅箔屏蔽主要針對傳導，線屏蔽主要針對輻射，當傳導非常好的時候，有可能你的輻射會差，這個時候把變壓器的銅箔屏蔽改成線屏蔽，盡量壓低30M下降的位置，這樣整改輻射會快很多。 EMI整改技巧之一 39.測試輻射的時候，多帶點不同品牌的MOS、肖特基。


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